《机电工程》杂志,月刊( 详细... )
中国标准连续出版物号: ISSN 1001-4551 CN 33-1088/TH
主办单位:浙江省机电集团有限公司
浙江大学
主编:陈 晓
副 主 编:唐任仲、罗向阳(执行主编)
总 经 理:罗向阳
出 版:浙江《机电工程》杂志社有限公司
地 址:杭州市上城区延安路95号浙江省机电集团大楼二楼211、212室
电话Tel:+86-571-87041360、87239525
E-mail:meem_contribute@163.com
国外发行:中国国际图书贸易总公司
订阅:全国各地邮局 国外代号:M3135
国内发行:浙江省报刊发行局
邮发代号:32-68
广告发布登记证:杭上市管广发G-001号
在线杂志 |
当前位置: 机电工程 >>在线杂志 |
基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的5 GHz低噪声放大器*
作者:南超州,虞小鹏* 日期:2012-09-11/span> 浏览:3223 查看PDF文档
基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的5 GHz低噪声放大器*
南超州,虞小鹏*
(浙江大学 超大规模集成电路研究所, 浙江 杭州 310027)
摘要: 针对5 GHz频段无线局域网通信标准的市场需求,提出了一种基于源端电感退化的低噪声放大器(LNA)。设计采用了新加坡特许半导体(CHRT)提供的0.18 μm 互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺库,并对设计结果进行了流片测试验证。重点分析了基于源端电感退化的低噪声放大器的关键参数与性能折中,包括输入噪声匹配、密勒效应(miller effect)对噪声性能造成的影响,以及解决方案等在射频低噪声放大器设计中至关重要的因素。研究结果表明,噪声系数(NF)、线性度以及增益等关键指标皆可满足5 GHz无线通信的需求;其中噪声系数(NF)在超低功耗条件下(Pcom < 4 mW),可以达到3 dB以下。
关键词: 无线局域网;互补型金属氧化物半导体;低噪声放大器;密勒效应消除
中图分类号: TN47;TM13 文献标志码:A 文章编号:1001-4551(2012)06-0714-04
本文的文献著录格式:
南超州,虞小鹏.基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的5 GHz低噪声放大器[J],机电工程,2012,29(6):714-717.
NAN Chao-zhou,YU Xiao-peng.5 GHz LNA based on CHRT 0.18 μm CMOS technology[J],Journal of Mechanical & Electrical Engineering,2012,29(6):714-717.
友情链接