《机电工程》杂志，月刊( 详细... )
中国标准连续出版物号： ISSN 1001-4551 CN 33-1088/TH
主办单位：浙江省机电集团有限公司
浙江大学
主编：陈 晓
副 主 编：唐任仲、罗向阳(执行主编)
总 经 理：罗向阳
出 版：浙江《机电工程》杂志社有限公司
地 址：杭州市上城区延安路95号浙江省机电集团大楼二楼211、212室
电话Tel：+86-571-87041360、87239525
E-mail：meem_contribute@163.com
国外发行：中国国际图书贸易总公司
订阅：全国各地邮局 国外代号：M3135
国内发行：浙江省报刊发行局
邮发代号：32-68
广告发布登记证：杭上市管广发G-001号
| 在线杂志 |
当前位置： 机电工程 >>在线杂志 |
基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究
作者：范鹏飞，肖龙，占金祥，陈浩，陈国柱* 日期：2017-05-26/span> 浏览：3158 查看PDF文档
基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究
范鹏飞，肖龙，占金祥，陈浩，陈国柱*
(浙江大学 电气工程学院, 浙江 杭州 310027)
摘要：针对传统有桥Boost功率因数校正电路效率不高的问题，分析了Boost 功率因数校正电路的基本结构以及控制方法，SiC器件的特点和发展历程，提出了使用SiC 器件来提升其功率密度的方案。介绍了功率因数校正电路中重要参数的设计，简述了一种适用于PFC功率电感的设计方法以及主要设计步骤，并分析了传统有桥功率因数校正电路的损耗分布情况。选取了数家公司生产的不同材料的MOSFET，搭建了对应的1.2 kW实验样机，并测量了各个样机效率。研究结果表明，在115 V交流输入下，相比infineon公司最新的具有超结结构的CoolMOS，ROHM公司的大电流Si MOSFET，使用SiC MOSFET能够提升有桥功率因数电路的工作效率。
关键词：功率因数校正；SiC器件；ACDC变换器
中图分类号：TM501+.1;TP461 文献标志码：A 文章编号：1001-4551(2017)04-0399-04
本文引用格式：
范鹏飞，肖龙，占金祥，等.基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究［J］.机电工程，2017，34(4)：399-402.
FAN Pengfei, XIAO Long, ZHAN Jinxiang, et al. High efficiency power factor correction power supply based on SiC device［J］.Journal of Mechanical & Electrical Engineering, 2017,34(4):399-402.
《机电工程》杂志：http://www.meem.com.cn
友情链接
