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基于SOI工艺的高压LED驱动设计
作者:诸剑慧,何乐年*,林玲 日期:2011-11-02/span> 浏览:3431 查看PDF文档
基于SOI工艺的高压LED驱动设计
诸剑慧,何乐年*,林玲
(浙江大学 超大规模集成电路设计研究所,浙江 杭州 310027)
摘要:为了解决LED驱动芯片因耐压低而在高压领域应用受限制的问题,将绝缘体上硅(SOI)技术应用到LED驱动的设计中,设计了一款基于SOI工艺的高压LED驱动芯片。首先提出了该驱动的系统框图,并介绍了其工作原理,然后对各重要模块进行了详细的介绍。该LED驱动输入电压范围为40 V~625 V,采用峰值电流模式控制,并提供线性与脉宽调制(PWM ) 两种调光方式,根据不同应用,外接的LED灯可达十几至上百个不等。采用XFAB 1 μm SOI工艺,并使用Cadence的Spectre系列软件进行了仿真。仿真与测试结果验证了该驱动的良好性能。该设计对基于SOI工艺的高压电源管理芯片的设计具有指导意义。
关键词:绝缘体上硅; 高压; LED驱动; 峰值电流模式;脉宽调制
中图分类号:TN433文献标志码:A文章编号:1001-4551(2011)08-1028-05
本文的文献著录格式:
诸剑慧,何乐年,林玲.基于SOI工艺的高压LED驱动设计[J],机电工程,2011,28(8):1028-1032.
ZHU Jianhui, HE Lenian, LIN Ling.Highvoltage LED driver based on SOI process[J],
Journal of Mechanical & Electrical Engineering,2011,28(8):1028-1032.
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